武汉理工大学《材料科学基础》考研中心题库及答案-20221222.docx(武汉理工大学材料科学与工程考研)

材科基础中心题一、填空题ooii.烧结进程的首要传质机制有、、、,当烧结别离进行四种传质时，颈部增加x/r与时刻t的联络别离是、、、o0002.晶体的对称要素中点对称要素品种有、、、,富含平移操作的对称要素品种有、o0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几许单形、布拉菲格子、空间群的数目别离是、、、、、o0004.晶体有两种抱负形状，别离是和 o0005.晶体是指内部质点摆放的固体。0006,以nacl晶胞中(001)面心的一个球(c1-离子)为例，归于这个球的8面体空位数为,所以归于这个球的四面体空位数为。0007.与非晶体比照晶体具有自限性、、、、和平稳性。0008.一个立方晶系晶胞中，一晶面在晶轴x、y、z上的截距别离为2a、l/2a、2/3a,其晶面的晶面指数是。0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性，的确实触摸角0时，粗糙度越大,表面触摸角,就越简略湿润；当。,则粗糙度,越晦气于湿润。0010.硼酸盐玻璃中，跟着naq(lo)含量的添加，桥氧数,热胀大系数逐步降低。当na2含量抵达15%—16%时，桥氧又初步,热胀大系数从头上升，这种异常表象就是硼异常表象。0011.晶体规划中的点缺陷类型共分、和三种，cacl中进入到kc1空位中而构成点缺陷的反应式为。0012.固体质点涣散的推进力是o0013.本征涣散是指，其涣散系数d=，其涣散活化能由和构成。0014.析晶进程分两个期间，先后。0015.晶体发生frankel缺陷时，晶体体积,晶体密度;而有schtty缺陷时，晶体体积，晶体密度o一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，是首要的；两种离子半径相差大时，是首要的。0016.少量cac12在kc1中构成固溶体后，实测密度值随ca2+离子数/k+离子数比值添加而削减，由此可判别其 缺陷反应式为o是，它与玻璃构成进程的冷却速率有关，同组分熔体快冷时tg比慢冷时，淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度，热胀大系数o0018.同温度下，构成别离为:(1)一;(2)——；(3)-的三种熔体，其粘度巨细的次序为o0019.三t图中三个t代表,，和o0020.粘滞活化能越，粘度越o硅酸盐熔体或玻璃的电导首要抉择于o构成的熔体，若坚持na20含量不变，用cao置换有些si02后，电导。

a.平稳分相 b.介稳分相(a.平稳分相 b.介稳分相(c)第二相构成不随时刻改变；始界面呈弥散状，并逐步显着；(c)分相后具有液滴状孤立规划;后的两相均为热力学介稳相；(c)有分相势垒；c.成核-长大分相 d.旋节分相(a)分相区在液相线上； (d)分相开分相速度慢;(b)分相分相时擘售负涣散；(d)(b)分相区在液相线下；0043,液一固相变中的非均匀成核是指构成晶核的进程。它的成核位垒随触摸角的而降低，当由。?900时，成核位垒gk*与均匀成核位垒gk的联络为—。0044.mgo具有型规划，其对称型,空间群,归于晶族和晶系，正负离子配位数为,单个晶胞占有正负离子的数目为o,agcl和cu2s极化程度的巨细次序是极化成果改动配位数的是不极化成果改动配位数的是0046.下列化合物归于啥规划(1)蓝维矿bati[si3o9],(2)透辉石camg[si206],(3)滑石mg3[si4010](0h)2,(4)石英si02,(5)镁橄榄石mg2[sio4]0047.液相烧结与固相烧结相同的是其进程都由—，—，—等三个期间构成，不一样点是,,o0048,烧结有,,,等四种传质方法，发生的缘由别离是0049,在烧结前期，若x/r与小3成正比，其归于传质进程，这种烧结的推进力是,缩短率为o0050.一种涣散进程:ind与1/t的改变联络如图所示，该涣散归于涣散进程,图中各有些线段的斜率别离是(1)(2)(3),各有些线段所标明的涣散类型是(1)(2)(3)o0051.构成二次再结晶的缘由首要是,及,其次是,及…等。晶胞中cl离子作最紧密堆积，na十填充面体空位的100%,以(001)面心的一个球(c「离子)为例，归于这个球的8面体空位数为,所以归于这个球的四面体空位数为,正负离子配位数为,配位多面体之间共联接,单个晶胞占有正负离子的数目为o0053.晶体规划中的点缺陷类型共分、和三种，ca()参加到zroz中构成空位式固溶体的的缺陷反应式光,固溶式分子式:0构成置换式固溶体的的缺陷反应式为 ，固溶式分子式: o填空题答案0001.蒸腾一冷凝，涣散，溶解一堆积，活动；1/3,1/5,1/6,1/2。0002.对称面、对称中心、对称轴，旋转反伸轴；滑移面、螺旋轴；c、mo0003.3、7、32、146、47、14、230。0004.单形、聚形。0005.内部质点在三维空间成周期性重复摆放的固体。0006.1,20007.自限性、均一性、异向性、对称性、最小内能。0008.(143)0009.小于90°,越小；大于90°,越大0010.增大，削减0011.空位原子、空位、杂质原子；cac12m>cai”+2vk+2clclo0012.化学位梯度0013.由晶体内本身的热缺陷致使质点搬场的涣散,d=d0exp(-q/rt),空位构成能,空位搬场能0014.成核，长大0015不变，不变，变大，变小，schtty缺陷，frankel缺陷0016.cacl2^^ca；+v’+2clcl0017.玻璃构成温度高小大0018.(2)>(3)>(1)0019.时刻一温度一相改动0020.大(小)大(小)规划参数y0021.降低0022.降低30024.立方面心格子。0025.共顶方法。0026.晶体体积。0027.远程无序。0028.独立存在。0029.曲率中心。0030.萤石。0031.一级偏微商。0032.有用跃迁频率。0033.表面能的降低。0034.化学位梯度0035.(1)属非均相反应，参加反应的固相彼此触摸是反应发生化学作用和物质运送的先决条件。(2)固相反应初步温度远低于反应物的熔点或体系低共熔点温度。(泰受温度）。（3）存在多晶改动时，此改动也常是反应初步变得显着的温度。（海德华温度）0036.变薄,削减，mo03的升化进程,mo03粒径0036.由晶体内本身的热缺陷致使质点搬场的涣散,d=d0exp（-q/rt）,空位构成能,空位搬场能0038.缺陷浓度，00039,易位，环形涣散，空位涣散，空位涣散，准空位涣散，空位涣散，空位构成能，空位搬场能0040.成核，生长，生长0041.生长一成核，调幅分化，正，慢，接连非球形，不平稳0042.略0043, ,削减，gk*=1/2gk,m3m,fm3m,高档，立方，6,40045.agcl<kcl<cu2s,cu2s,agcl0046.组群状，链状，层状，架状，岛状。0047,颗粒重排，气孔填充，晶粒生长；传质方法不一样，传质速率不一样，抵达相同细密烧结体的温度不一样。0048.蒸腾-凝集，涣散，活动，溶解-堆积；压力差，空位浓度差，应力-应变，溶解度差。0049.蒸腾-凝集，粉末体球形颗粒凸面与颗粒触摸点颈部之间的蒸气压差，零。0050.缺氧条件下非计量化合物空也护队〃_必+吗/3.些r r r本征涣散，非化学计量涣散，非本征涣散或杂质涣散0051.,初始物料粒度不均匀，烧结温度偏高，成型压力不均匀，部分有不均匀。0052.面心立方，8，1,2,6,棱，4o0053.空位原子、空位、杂质原子；2cao>ca.+2oo+ca^, ,cao3■>ca；+00+vo,二、判别题0001.na20-si02体系中随si02含量的添加，熔体的粘度将降低。（）0002.涣散的推进力是浓度梯度，一切涣散体系中，物质都是由高浓度处向低浓度处涣散。（）0003.晶粒正常长大是小晶粒吞食大晶粒，异常长大是大晶粒吞食小晶粒。（）0004.固溶体是在固态条件下，一种物质以原子标准溶解在另一种物质中构成的单相均匀的固体。（）0005.在热力学平衡条件下，二元凝集体系最多可以3相平衡共存，它们是一个固相、一个液相和一个气相。（）0006.纯物质在必定压力下的熔点是定值。（）0007.纯液体在必定温度下的蒸汽压为定值。（）0008.纯物质在必定温度下，固、液、气可以三相平衡共存。（）0009.粉状物料的表面能大于多晶烧结体的晶界能，这是烧结进程的推进力。（）0010.烧结进程中，假定晶界移动速率等于气孔涣散速率，可抵达烧结体细密化。（）0011.逆涣散的推进力是浓度梯度.（）0012.成核终身成相变亚穗区g”<0,斯宾那多分化的不稳区g”>0.（）0013.分隔单位面积的粘附表面所需的功。粘附性越好，粘附功越小。（）0014.问:螺位错可以攀移。（）0015.浓度差会致使涣散，涣散老是从高浓度处向低浓度处进行。（）0016.多晶改动点必定不会是析晶结束，过渡点必定不会是析晶结束。（）0001.答:不正确。粘度添加。0002.答:不正确。涣散也可以从低浓度向高浓度进行。0003.答:不正确。都是晶界移动的成果。正常长大是晶粒均匀标准添加，异常长大是单个大晶粒标准异常添加。（0004.答:正确。0005.答:不正确。两个固相和一个液相。0006.答:正确。根据相律f=c-p+2,c=k熔化时p=2,f=1-2+2,当压力断定后温度就断定了。0007.答:正确。0008.答:不正确。固、液、气可以三相平衡时，安适度f=0,这是外界条件（温度和压力）都是断定的特定值，不能随意改变，因而温度不能任意指定。0009.答:正确。0010.答:不正确。晶粒正常生长时，晶界移动遭到杂质或气孔的控制，为了使用晶界作为原子移动的快速通道，期望气孔坚持在晶界或三个晶粒的交汇点上，晶界移动速率等于气孔涣散速率，晶界在控制气孔移动的一起，气孔作为空位源而快速向烧结体外打扫。跟着烧结进行，气孔率逐步减小，气孔内气压不断前进，当内气压添加2y/r时，即其孔内气压等于烧结推进力，烧结就中止了，持续升高温度，气孔内气压>2y/r,气孔胀大而呈现反细密化进程。0011答:不对，是化学位梯度。■0012.答:不对。相反。0013.答:不对。w.kb=va+yb-vab,粘附性越好，粘附功越大。0014.答:不正确。螺型位错只能滑移。螺型位错运动时，螺型位错的移动方向与位错线笔直，也与柏氏矢量笔直。关于螺型位错，因为位错线与柏氏矢量平行，故它的滑移不限于单一的滑移面上。关于螺型位错，另一滑移面上去持续滑移，这一进程称为交滑移。0015.答:不正确。涣散的根柢推进力是化学位梯度，只不过在一般情况下以浓度梯度的方法体现出来；涣散是从高化学位处流向低化学位处，究竟体系遍地的化学位相等。假定低浓度处化学势高，则可进行负涣散，如玻璃的分相进程。0016.答:正确。

三、名词说明0001晶体点0005晶体定向型0009晶类菲格子0013晶胞和缩聚0017网络构成体、平衡0020低共熔点三、名词说明0001晶体点0005晶体定向型0009晶类菲格子0013晶胞和缩聚0017网络构成体、平衡0020低共熔点点0024连线规则规则0002平等点0006晶体常数0010单形0014空间群网络中心体、网络改性体0021双升点0025切线规则0028平稳涣散与不平稳涣散0030自涣散与互涣散0003空间点阵0004结0007对称0008对称0011聚形0012布拉015单键强0016分化0018凝集体系0019介稳0022双降点0023马鞍0026三角形规则0027重心0029本征涣散与非本征涣散0031涣散系数与涣散通量0032配位数与配位体0034位移性改动与重建性改动0036刃型位错和螺型位错0038晶体场理论 0039配位场理论0041类质同晶和同质多晶0043同晶替代与阳离子交流0033同质多晶与多晶改动0035弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷0037晶子学说和无规则网络学说0040萤石型和反萤石型0042二8面体型与三8面体型0044尖晶石与反尖晶石0045米勒指数效应0049压电效应半径0046离子晶体的晶格能 0047离子极化0050硼异常表象0051熔体、玻璃体0048铁电0052界核0053无序涣散剂0057晶界规划能:0061初度再结晶0054烧结微观界说0058桥氧离子0062二次再结晶0055非均相成核0056矿化0059吸附 0060表面0063晶粒长台甫词说明参阅答案0001.晶体是内部质点在三维空间成周期性重复摆放的固体。或晶体是具格子规划的固体。0002.平等点晶体规划中在同一取向上几许环境和物质环境皆相同的点称为平等点。0003.空间点阵是标明晶体规划中各类平等点摆放规则的几许图形。或是标明晶体内部规划中质点重复规则的几许图形。0004.空间点阵中的阵点，称为结点。0005.晶体定向就是在晶体中止定坐标轴（称晶轴）及轴单位或轴率（轴单位之比）o0006.晶体常数:晶轴轴率或轴单位，轴角。标明晶体规划特征的参数（a、b、c,a（bac）.13（aac）.y（a/\b））称为晶胞常数，晶胞参数也即晶体常数。0007.对称是指物体相同有些作有规则的重复。0008.对称型晶体规划中一切点对称要素（对称面、对称中心、对称轴和旋转反伸轴）的集结称为对称型，也称点群。0009.晶类将对称型相同的晶体归为一类，称为晶类。0010.单形是由一组同形等大的晶面所构成，这些晶面可以凭仗其所属对称型的对称要素彼此完成重复。也就是说，单形是由对称要素联络起来的一组晶面的集结。0011.聚形富含两个或两个以上单形的晶形称为聚形。0012.一切晶体规划的空间点阵可区别成十四品种型的空间格子，这14种空间格子称布拉菲格子。0013.任何晶体都对应一种布拉菲格子，因而任何晶体都可区别出与此种布拉菲格子平行六面体相对应的有些，这一有些晶体就称为晶胞。晶胞是可以反映晶体规划特征的最小单位。0014.空间群是指一个晶体规划中一切对称要素集结。0015.单键强即为各种化合物分化能与该种化合物配位数的商。0016.分化进程:架状［si04］开裂称为熔融石英的分化进程。缩聚进程:分化进程发生的低聚化合物彼此发生作用，构成级次较高的聚合物，次进程为缩聚进程。0017.网络构成体、网络中心体、网络改性体网络构成体:正离子是网络构成离子，对应氧化物能单独构成玻璃。即凡氧化物的单键强度＞335kj/mol者称为网络构成体，这类氧化物能单独行成玻璃。网络变性体:单键强度v250kj/mol,这类氧化物不能构成玻璃，但能改动网络规划，然后使玻璃性质改动，即称为网络变形体。网络中心体:单键强度介于250?335kj/mol,这类氧化物的作用介于网络构成体和网络改性体之间，称为网络中心体。0018.凝集体系:不含气相或气相可以忽略的体系。0019.介稳平衡:即热力学非平衡态，能量处于较高状况，常常呈现于硅酸盐体系中。0020.低共熔点:是一种无变量点，体系冷却时几种晶相一起从熔液平分出，或加热时一起融化。0021.双升点:处于穿插位的单转熔点。0022.双降点:处于共舸位的双转熔点。0023.马鞍点:三元相图鸿沟上温度最高点，一起又是二元体系温度的最低点。0024.连线规则:将一鸿沟（或其延伸线）与相应的连线（或其延伸线）相交，其交点是该鸿沟上的温度最高点。0025.切线规则:将鸿沟上某一点所作的切线与相应的连线相交，如交点在连线上，则标明鸿沟上该处具有共熔性质；如交点在连线的延伸线上，则标明鸿沟上该处具有转熔性质，远离交点的晶相被回吸。0026.三角形规则:初始熔体构成点地址副三角形的三个极点标明的物质即为其结晶产品；与这三个物质相应的初初晶区所围住的三元无变量点是其结晶结束点。0027.重心规则:如无变点处于其相应副三角形的重心位，则该无变点为低共熔点:如无变点处于其相应副三角形的穿插位，则该无变点为单转熔点；如无变点处于其相应副三角形的共柜位，则该无变点为双转熔点。0028.平稳涣散与不平稳涣散:涣散进程中任一点浓度随时刻改变称为不平稳涣散。0029.本征涣散与非本征涣散:由此点缺陷致使的涣散为本征涣散，首要呈现了肖特基和弗兰克尔点缺陷。由不等价离子构成晶格空位，由此致使的质点搬场称为非本征涣散。0030.自涣散:互涣散:0031.涣散系数:涣散通量:0032.配位数:晶体规划中与一个离子直接相邻的异号离子数。配位体:晶体规划中与某一个阳离子直接相邻、构成配位联络的各个阴离子中心连线所构成的多面体。0033.同质多晶:同一化学构成在不一样外界条件下（温度、压力、ph值等），结晶变成两种以上不一样规划晶体的表象。多晶改动:当外界条件改动到必定程度时，各种变体之间发生规划改动，从一种变体改动成为另一种变体的表象。0034.位移性改动:不翻开任何键，也不改动原子最邻近的配位数，只是使规划发生畸变，原子从正本方位发生少量位移，使次级配位有所改动的一种多晶改动方法。重建性改动:损坏原有原子间化学键，改动原子最邻近配位数，使晶体规划完全改动原样的一种多晶改动方法。0035.当晶体热振荡时，一些能量满足大的原子脱离平衡方位而挤到晶格点的空位中，构成空位原子，而正本方位上构成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。假定正常格点上原子，热高低后获得能量脱离平衡方位，跃迁到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。0036.滑移方向与位错线笔直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向彼此平行的位错称为螺型位错。0037.晶子学说:玻璃内部是由许多“晶子”构成，微晶子是带有晶格变形的有序区域。它们涣散在无定形介中质，晶子向无定形有些过渡是逐步结束时，二者没有显着鸿沟。无规则网络学说:但凡变成玻璃态的物质和相应的晶体规划相同，也是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体（三角体或四面体）构筑起来的。晶体规划网是由多面体许多次有规则重复构成，而玻璃中规划多面体的重复没有规则性。0038.晶体场理论:认为在晶体规划中，中心阳离子与配位体之间是离子键，不存在电子轨迹的重迭，并将配位体作为点电荷来处置的理论。0039.配位场理论:除了思考到由配位体所造成的使的纯静电效应以外，还思考了共价成键的效应的理论。0040.萤石型:caf2型规划中，按面心立方紧密摆放，f占有晶胞中悉数四面体空位。反萤石型:阳离子和阴离子的方位与caf2型规划完全相反，即减金属离子占有f-的方位,-占有ca”的方位。0041.类质同象:物质结晶时，其晶体规划中有些原有的离子或原子方位被性质类似的其它离子或原子所占有，一起构成均匀的、呈单一相的晶体，不致使键性和晶体规划改变的表象。同质多晶:同一化学构成在不一样热力学条件下构成规划不一样的晶体的表象。0042.二8面体型:在层状硅酸盐矿藏中，若有三分之二的8面体空位被阳离子所填充称为二8面体型规划。三8面体型:在层状硅酸盐矿藏中，若悉数的8面体空位被阳离子所填充称为三8面体型规划。0043.同晶替代:杂质离子替代晶体规划中某一结点上的离子而不改动晶体规划类型的表象。阳离子交流:在粘土矿藏中，当规划中的同晶替代首要发生在铝氧层时，一些电价低、半径大的阳离子（如k+、na+等）将进入晶体规划来平衡剩下的负电荷，它们与晶体的联系不很健壮，在必定条件下可以被其它阳离子交流。0044.正尖晶石:在abo尖晶石型晶体规划中，若a?’分布在四面体空位、而b:”分布于8面体空位，称为正尖晶石；反尖晶石:若a?.分布在8面体空位、而一半分布于四面体空位另一半分布于8面体空位，通式为b（ab）0”称为反尖晶石。0045.米勒指数0046.离子晶体的晶格能0047.离子极化:纠正、负离子在电场作用下，使正，负电荷重心不重合，并发生偶极距的表象。]0048.铁电效应0049.压电效应0050.当数量不多的碱金属氧化物同b。,一同熔融时，碱金属所供给的氧不像熔融sio2玻璃中作为非桥氧呈如今规划中，而是使硼改动为由桥氧构成的硼氧四面体。致使bq,玻璃从正本二度空间层状规划有些改动为三度空间的架状规划，然后加强了网络规划，并使玻璃的各种物理功能变好。0051.熔体特指加热到较高温度才干液化的物质的液体，即较高熔点物质的液体。熔体快速冷却则变成玻璃体玻璃体。0052.集合的原子群跨越必定标准可以平稳存在的最小的晶体颗粒半径。0053.无化学位梯度、浓度梯度、无外场推进力，由热高低致使的涣散。质点的涣散是无序的、随机的。0054.粉体在必定温度作用下，发生联合，斗气孔率降低，细密度前进，强度增大，晶粒增加，这种表象即为烧结。0055.母液中存在某界面（空位、杂质、位错），成核会优先在界面前进行，这种成核体系为非均相成核。0056.在固相反应中参加少量非反应物，反应进程中不与反应物起化学反应只起加速反应作用的物质。0057.晶界规划是指晶界在多晶体中的形状、规划和分布。0058.桥氧离子:指一个氧离子与两个硅离子的连接起来，此氧离子称为桥氧离子。0059.固体和液体表面存在许多不饱满键的原子和离子，它们都能招引外来的原子、离子、分子的这一表象。0060.当t,p及构成不变的条件下，添加单位表面积对体系所做的功。0061.初度再结晶是指从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大进程。0062.当坯体中有若于大晶粒存在时，这些大晶粒边数较多，晶界曲率较大，能量较高，使晶界可以跳过杂质或气孔而持续移向邻近小晶粒的曲率中心。晶粒的进一步生长，增大了晶界的曲率使生长进程不断加速，直到大晶粒的鸿沟彼此触摸中止。这个进程称为二次再结晶或异常的晶粒长大。0063.在烧结中、后期，细微晶粒逐步长大，而一些晶粒的长大进程也是另一有些晶粒的减小或不见进程，其成果是均匀晶粒标准添加。这一进程并不依靠于初度再结晶进程；晶粒长大不是小晶粒的彼此粘接，而是晶界移动的成果。其意义的中心是晶粒均匀标准添加。三、选择题0001.材料科学的中心内容是:a.成分b.理论c.技能方案d.规划与功能0002.“材料科学”的概念是啥时分清楚提出的:世纪50年代世纪80年代世纪世纪40年代00003.材料是人类文明前进的旅程碑，依照材料的运用，人类文明期间的次序为:a.青铜器年代，石器年代，陶器年代，铁器年代。b.石器年代，青铜器年代，陶器年代，铁器年代。c.石器年代，陶器年代，青铜器年代，铁器年代。d.陶器年代，青铜器年代，石器年代，铁器年代。0004.面角守恒规则中的守恒指:a.能量守恒b.晶面夹角相等c.晶面指数相同d.晶格常数相同0005.晶面一般被面网密度大的晶面所围住，这称为a.布拉维规则b.晶面规则c.能量最低规则d.平衡规则0006.晶体中不可以能存在的对称轴是:a.一次对称轴b.三次对称轴c.四次对称轴d.五次对称轴0007.晶体学中，3l4标明:a.三个四次轴b.四个三次轴c.三个反映面d.三个对称轴0008,在晶体规划中，品种、性质及其周围环境完全相同的质点方位称为:a.格点b.点缺陷c.平等点d.阵点0009.晶体的本质特征是:a.内部质点在三维空间周期摆放b.具有规则的几许外形c.具有对称性d.具有各向异性0010.假定某晶体具有9个对称面，应表不为:0011.与li2的对称操作等效的对称操作为:+c0012.空间格子是一种oa.几许图形b.有限图形c.无限图形d,平等点的周期摆放0013.布拉维规则认为，晶体一般被的晶面所围住。a.面网密度大b.面网密度小c.面网密度居中0014.晶体的根柢性质首要包括 种。0015.晶体的微观对称要素中，对称面的对称操作是oa.旋转

b.反伸c,反映d?旋转+反映0016.晶体的微观对称要素中，对称轴的对称操作是oa.旋转b.反伸c.旋转+反伸d.旋转+反映0017.晶体的对称轴除一次轴l1外，答应存在的其它轴次有种。0018.旋转反伸轴li2可以等效表达为:+c+c0019.旋转反伸轴li3可以等效表达为:+c+p0020.旋转反映轴ls2可以等效表达为:+c+p0021.对晶体进行微观对称要素组合分析，可得到种点群。0023.晶体的微观对称要素中，倒转轴的对称操作是。a.旋转b.反伸c.旋转+反伸d.旋转+反映0024.晶体的微观对称要素中，映转轴的对称操作是。a.旋转b.反映c.旋转+反伸d.旋转+反映0025.晶体上可以存在对称面。个b.任意多个c.最多9个个0026.晶体上可以有对称中心。个b.多个c.最多9个个0027.旋转反伸轴li6可以等效表达为:+c+c+c+p0028.旋转反映轴ls3可以等效表达为:+c+p0029.旋转反映轴ls6可以等效表达为:0031.0031.四方晶系的晶体常数特征为:0022.晶体的微观对称要素中，对称中心的对称操作是。a.旋转b.反伸c.反映d?旋转+反伸+c+p0030.对称型（点群）可以区别出 个晶族。wbwc,a=0=y=90°二bwc,a=0=y=90°=b=c,a=0=y=90°wbwc,qwbwyw90°0032.斜方晶系的晶体常数特征为:wbwc,a=p=y=90°二bwc,a=p=y=90°=b=c,a=0=y=90°wbwc,awbwyw90°0033.下面的晶面指数是:(hkl)[uvw]{hkl}(hk?1)0034.下面的晶带符号是:(hkl)iuvwj{hkl}[uv?w]toc\o”1-5″\h\z0035.三斜晶系的布拉维格子有 种。0036.斜方晶系的布拉维格子有 种。0037.六方晶系的布拉维格子有 种。0038.晶体的微观对称要素是oa.对称面b.滑移面c.螺旋轴d.对称轴0039.螺旋轴按基转角不一样可分为 种o0040.对晶体一切对称要素进行组合分析，可得到种空间群。0041.若有n个等大球体作最紧密堆积，将有个8面体空位存在。+1+10042.对称型（点群）可以区别出 个晶系o0043.立方晶系的晶体常数特征为:wbwc,a=3=y=90°:bwc,a=3=y=90°=b=c,a=3=y=90°wbwc,awbwy#90°0044.三斜晶系的晶体常数特征为:wbwc,a=0=y=90°:bwc,a=0=y=90°=b=c,a=p=y=90°wbwc,awbwyw90°0045.下面的晶向指数是:(hkl)[uvw]{hkl}[uv?w]0046.单斜晶系的布拉维格子有 种。0047.滑移面按平移方向平缓移间隔可分为种。0055.范德华力与间隔的次方成反比。0048.螺旋轴共有种。0056.关于平稳的晶体规划，可以存在的配位数有个。0049.归于等大球体最紧密堆积的方法是:a.体心立方堆积b.面心立方堆积c.体心四方堆积d.六方堆积0050.四方晶系的布拉维格子有 种o0051.若有n个等大球体作最紧密堆积，将有个四面体空位存在。+1+10052.物质的联系键可分为大类。0057.当配位多面体为四面体时，正负离子半径比为:当配位多面体为8面体时，正负离子半径比为o金刚石归于晶系。a.立方b.六方c.四方d.斜方0060.金刚石晶胞中有套平等点。a.10053.物质的联系键具体键型共有 种。归于晶系oa.正交b.六方c.立方d.单斜0054.范德华力来历于种效应。0063.石墨归于晶系。0062.0054.范德华力来历于种效应。0063.石墨归于晶系。a.四方b.六方c.单斜d.斜方0064.氧化镁晶胞中富含个分子。从高温冷却进程中晶胞会发生畸变有种可以的方法。0072.金刚石晶体具有特性。a.高硬b.低密度c.低键强0065.b-sic晶胞中有套平等d.高热导0073.0065.b-sic晶胞中有套平等晶胞中富含个分子。（高温型）归于晶系。a.正交b.单斜c.立方d.四方（金红石）晶胞中有套平等点。0074.氧化镁归于晶系。a.正交b.六方c.四方d.立方0075.b-sic归于晶系。a.正交b.六方c.立方d.四方晶胞中有套平等点。（高温型）晶胞中富含个分子。0069.a-a1203晶体中al离子填充在8面体空位中。2334在高温时为晶系。a.三斜b.六方c.四方d.立方（金红石）归于晶系。a.正交b.六方c.三方d.四方晶体是以0和a1原子层经过层重复而得到。d.四方晶体具有特性。a.低胀大晶胞中富含个分子。b.硬度高晶胞中富含个分子。c.熔点高d.不耐磨晶胞中有套平等点。0081.尖晶石为晶系。a.三斜0090.硅酸盐晶体规划中首要存在有种多面体方法。b.0090.硅酸盐晶体规划中首要存在有种多面体方法。c.立方d.正交0082.石墨晶体具有特性。a.低硬度晶体共有种变体。b.耐氧化c.导电d.易加工晶体共有种变体。0083.氧化镁晶胞中有套平等点。0092.硅酸盐晶体规划类型首要有 种。0084.b-sic晶胞中富含个分子。0093.玻璃态物质具有大通性。（高温型）晶胞中有套平等点。（金红石）晶胞中富含个分子。（金红石）晶胞中富含个分子。归于晶系oa.正交b.三方c.六方0094.单键强＞335kj/mol,这类氧化物归于。a.玻璃网络构成体b.网络变性体c.中心体d.不晓得0095.单键强＜250kj/mol,这类氧化物归于。a.中心体b.玻璃网络构成体

c.网络变性体d.不晓得0096.键型物质简略构成玻璃。a.纯离子键b.金属键向共价键过渡c,纯金属键d.离子键向共价键过渡0097.根据无规则网络学说，氧多面体中正离子配位数一般为o0098,在硅酸盐玻璃中，每个氧离子最多和个正离子联接。0099.在核算硅酸盐玻璃规划参数时,z=00100.根据无规则网络学说，氧多面体至稀有个顶角和相邻氧多面体共有。d.分子链链段0103.由c-c单键内旋转而构成的构像有种。0104.晶体中高分子的构像抉择于和两种要素oa.分子链本身b.晶体缺陷c.分子链间彼此作用d.方向性0105.高分子结晶形状首要有:a.单晶b.球晶c.面心立方d.六方0106.液晶高分子是键合而成。a.高分子链段b.分子c.小分子液晶基元d.离子0107.液晶的规划类型有:a.向列型b.胆留型c.近晶型d.溶液型0101.在核算硼酸盐玻璃规划参数时,z-00102.高分子晶体的根柢规划单元是a.同规立构0101.在核算硼酸盐玻璃规划参数时,z-00102.高分子晶体的根柢规划单元是a.同规立构b.全同立构c.间同立构d.无规立构0109.高分子共聚物有:a,无规共聚物b.替换共聚物c.嵌段共聚物d.接枝共聚物0110.非晶高聚物的力学状况有a.原子b.分子c.离子a.玻璃态b.高弹态c.液态d.粘流态0111.高聚物的热改动有oa.玻璃化改动b.黏性活动c,熔化d,汽化0112.晶体规划中的缺陷在温度为时才干生成。>298k>0k>0℃0113.晶体规划缺陷依照其标准规模（即依照违背抱负规划的周期性有规则摆放的区域巨细）来分类，可分为 类。0118.温度越高，热缺陷生成能a.越高b.不变c.越低0119.生成固溶体时，在固溶极限以内固溶体是相。0120.关于二元体系生成固溶体时，当跨越固溶极限时，固溶体是oa.单相相相相0121.固溶体按溶质质点在溶剂晶格中的方位来区别，可以分为类。0114.点缺陷根据成分可以分为 类。0122.点缺陷根据方位可以分为 类。0115.热缺陷可以分为类。0116.在书写晶体规划缺陷符号时，上标”0116.在书写晶体规划缺陷符号时，上标”标明带个电荷。b.+2d.+10117.关于离子化合物，晶体中一共有种点缺陷根柢方法。0123.在书写晶体规划缺陷符号时，上标???标明带个电荷。a.+1d.+30124.固溶体有种分类办法。0125.关于置换型固溶体仅从离子标准

思考，当△二（门-r2）/rl<15%时，生成a.化合物b.接连型固溶体c有限型固溶体d.不生成固溶体0126.关于无机化合物，当△=(rl-r2)/rl<15%t晶体规划类型相同、电价不等，则生成oa.化合物b.接连型固溶体c.有限型固溶体d.不生成固溶体0127.置换型固溶体中的“组分缺陷”有 种。0128.关于金属材料，设d为实验测定密度值，d0为核算的理论密度，若dcdo,则固溶体为oa.缺位型b.置换型c.空位型d.不生成0129.非化学计量化合物有品种型。当环境中氧气氛压力减小或许在复原性气氛中，则其电导率与氧分压的次方成反比。3456当环境氧分压升高时，则其电导率与氧分压的次方成正比。34560132.点缺陷根据发生缘由可以分为 类。0133.在书写晶体规划缺陷符号时，上标不写标明带个电荷。+2d.+30134.在书写晶体规划缺陷符号时，上标为?标明带个电荷。+2+3d.+10135.固溶体按溶质在溶剂中的溶解度分类，可以分为类。0136.关于置换型固溶体仅从离子标准思考，当△=(14-12)/14>30%时，生成a.化合物b.接连型固溶体c.有限型固溶体d.不生成固溶体0137.空位型固溶体中共有种缺陷方法。50138.关于无机化合物，当^=(rl-r2)/rl<15%.晶体规划类型相同、电价相等，则生成oa.化合物b.接连型固溶体c.有限型固溶体d.不生成固溶体0139.关于金属材料，设d为实验测定密c.大于度值，d0为核算的理论密度，若。二口0,d.大于等于则固溶体为 o0146.相同环境条件下，相同物质小晶粒a.缺位型的溶解度会 大颗粒的溶解度。b.置换型a.等于c.空位型b.大于d.不生成c,小于0140.关于无机化合物，当△d.大于等于=(rl-r2)/r1=15-30%.晶体规划类型相0147.湿润的进程是体系吉布斯安适能同、电价相等、电负性差值)，则生成 的进程。0a.升高a.化合物b.降低b.接连型固溶体c.不变c有限型固溶体d.改变无规则d.不生成固溶体0148.小视点晶界模型中的倾转晶界是0141.关于金属材料，设d为实验测定密由 构成的。度值，d0为核算的理论密度，若d>do,a.刃型位错则固溶体为 ob.螺旋位错a.缺位型c.混合位错b.置换型d.位错中心堆叠c.空位型0149.小视点晶界模型中的改变晶界是d.不生成由 构成的。0142.一般情况下，液体的表面张力随温a.刃型位错度的升高会 ob.螺旋位错a.增大c.混合位错b.减小d.位错中心重登c.不变0150.离子晶体中晶界电荷的发生是由i).先增大再减小 致使的。0143.一般情况下，固体的表面能随温度a.阴、阳离子的空位构成能不一样的升高会 0b.阴、阳离子的填隙构成能不一样a.增大c,溶质b.减小d.两种溶质c.不变0151.在稳态涣散中，任一点的 d.先增大再减小不随时刻改变。0144.曲折表面的附加压力△p老是a.温度曲面的曲率中心。b.浓度梯度a.指向c.密度b.背向d.浓度c.平行0152.固体资猜华夏子涣散的驱动力是i).笔直00145.凸形曲面上的蒸气压会 a,浓度梯度凹形曲面上的蒸气压。b.温度梯度a.小于c,化学势梯度b.等于d.活度

0153.在空位固溶体中，溶质原子的涣散方法一般为oa.空位机制b.原子交换机制0153.在空位固溶体中，溶质原子的涣散方法一般为oa.空位机制b.原子交换机制c.空位机制d.置换机制0154.在柯肯达尔效应中，慵懒符号移动的首要缘由是oa.两组元的原子半径不一样b.两组元的涣散速度不一样c.仅一组元涣散d.两组元中的空位浓度不一样0155.一般情况下，空位涣散的激活能要比空位涣散的激活能oa.相同b.相等c.小d.大第一规则中的负号标明涣散方向与浓度降低方向oa.笔直b.共同c.相反d.可逆0159.构成临界晶核时体积安适能的削减只能抵偿表面能的o33420160.一级相变的特征是，相变发生时，两平衡相的相等，但其一阶偏微分不相等。积学容炳体化热a.b.cd.0161.马氏体改动是oa.涣散型相变b.二级相变c.液-固相变d.无涣散型相变0162.根据相变进程的温度条件，若相变进程是放热进程，则该进程有必要a.过热b.过冷却c.吸热d.平衡0163.晶体的表面能与所露出的那个晶面有关，密排的晶面表面能oa、最低b、最高c、适中d.不断定0060b0096.0120.b0067cbd四、简答题0001.试述玻璃和晶体的不一样。解:晶体的内部质点在三维空间作有规则的重复摆放，兼具短程有序和长程有序的规划。而玻璃的内部质点则呈近程有序而远程无序的无规网络规划或微晶子规划。与非晶体比照晶体具有自限性、均一性、异向性、对称性、最小内能和平稳性。0002.晶胞与空间格子是何种联络解:晶胞是指可以充分反映整个晶体规划特征的最小规划单位，晶体可当作晶胞的无空位堆垛而成。晶胞的形状巨细与对应的单位平行六面体完全共同，并可用与平行六面体相同的参数来表征晶胞的几许特征。其差异是单位平行六面体是不具任何物理、化学特征的几许点（平等点）构成的。而晶胞则是真实的具体质点构成。0003.以nacl晶胞为例，试阐明面心立方紧密堆积中的8面体和四面体空位的方位和数量。解:以nacl晶胞中（001）面心的一个球（c1-离子）为例，它的正下方有1个8面体空位（体心方位），与其对称，正上方也有1个8面体空位；前后支配各有1个8面体空位（棱心方位）。所以共有6个8面体空位与其直接相邻，因为每个8面体空位由6个球构成，所以归于这个球的8面体空位数为6×1/6e。在这个晶胞中，这个球还与另外2个面心、1个顶角上的球构成4个四面体空位（即1/8小立方体的体心方位）；因为对称性，在上面的晶胞中，也有4个四面体空位由这个参加构成。所以共有8个四面体空位与其直接相邻，因为每个四面体空位由4个球构成，所以归于这个球的四面体空位数为8×1/4=2o0004.试述晶体规划中点缺陷的类型。以通用的标明法写出晶体中各种点缺陷的标明符号。试举例写出cac12中ca2+置换kc1中k+或进入到kc1空位中去的两种点缺陷反应标明式。解:晶体规划中的点缺陷类型共分:空位原子、空位和杂质原子等三种。在mx晶体中，空位原子的标明符号为mi或xi；空位缺陷的标明符号为:vm或vx。假定进入mx晶体的杂质原子是a,则其标明符号可写成:au或ax（替代式）以及ai（空位式）。当

cac12中ca2+置换kc1中k+而呈现点缺陷，其缺陷反应式如下:cac12m>cak+vk+2clclcac12中ca2+进入到kc1空位中而构成点缺陷的反应式为:cac12m>cai”+2vk+2c1c10005.在缺陷反应方程式中，所谓方位平衡、电中性、质量平衡是指啥解:方位平衡是指在化合物maxb中，m格点数与x格点数坚持正确的比例联络，即也x=a:bo电中性是指在方程式两端应具有相同的有用电荷。质量平衡是指方程式两端应坚持物质质量的守恒。0006.试比照刃型位错和螺型位错的异同点。解:刃型位错和螺型位错的异同点见下表所示。刃型位错螺型位错?柏格斯矢量b的方位联络柏格斯矢量*与刃性位错线笔直柏格斯矢量3与螺型位错线平行位错分类刃性位错有正负之分螺形位错分为左旋和官表位错是不是致使晶体畸变和构成应力场致使晶体畸变和构成应力场，且离位错线越远，晶格畸变越小致使晶体畸变和构成应力场，且离位错线越远，晶格畸变越小位错类型只需几个原子间隔的线缺陷只需几个原子间隔的线缺陷0007.试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。解:1、离子标准要素从晶体平稳性思考，彼此替代的离子标准愈附近，则固溶体愈平稳。若以rl和r2别离代表半径大和半径小的两种离子的半径。当它们半径差工1<15%时，构成接连置换型固溶体。若此值在15?30养时，可以构成有限置换型固溶体。而此值>30卷时，不能构成固溶体。2、晶体的规划类型构成接连固溶体的两个组分有必要具有完全相同的晶体规划。规划不一样最多只能生成有限固溶体。3、离子的电价要素只需离子价相同或复合替代离子价总和相一起，才可以构成接连置换型固溶体。4、电负性要素电负性附近，有利于固溶体的生成。0008.从化学构成、相构成思考，试比照固溶体与化合物、机械混合物的不一样。解:从化学构成、相构成思考，固溶体、化合物和机械混合物的差异以a0溶质溶解在b203溶剂中为例列下表比照之。较比项固溶体化合物机械混合薪化学构成b2-xaxoj-2（x=0一2）ab204a0+b203相构成均匀单相单相两相有界面0009.试写出少量mgo掺杂到a1203中和少量yf3掺杂到caf2中的缺陷方程。(a)判别方程的合理性。(b)写出每一方程对应的固溶式。解:3mgo叫“)2mg4+叫:’+300(1)2mg()以止)2m§ai+ a12°552crai+3oo+200(2)yf3一-‘%一8%+f；+2ff(3)2yf3,码>2y[+vca+6ff(4)(a)书写缺陷方程首要思考电价平衡，如方程(1)和(4)o在不等价置换时，3vg2+f2a13+；2y3+-3ca2+。这样即可写出一组缺陷方程。其次思考不等价离子等量置换，如方程(2)和(3)2mg2+f2a13+；y3+-ca2+o这样又可写出一组缺陷方程。在这两组方程中，从结晶化学的晶体平稳性思考，在离子晶体中除萤石型晶体规划可以发生空位型固溶体以外，因为离子晶体中阴离子紧密堆积，空位阴离子或阳离子都会损坏晶体的平稳性。因而空位型缺陷在离子晶体中(除萤石型)较稀有。上述四个方程以(2)和(3)较合理。当然正确的判别有必要用固溶体密度测定法来抉择。(b)(1)%-率mgx。33001u.对丁mgo、a1203和cr2()3,其正、负离子半径比别离为、和。a1203和cr203构成接连固溶体。⑸这个成果可以吗为啥(b)试估计，在mgo—cr203体系中的固溶度是有限仍是很大为啥解:(a)a1203与cr203有可以构成接连固溶体。因为:0.4。-136①ri二—040—=10%<15%②规划类型相同，均属刚玉型规划。 r_r047_04(b)关于mgo—cr2o3体系，规划类型相差较大，前者为nacl型，宝2平「^7尽管=成<15%,也不可以能构成完全互溶的固溶体，而只能是有限固溶。001l在na2o—sio2体系及r0—si()2体系中跟着si02含量的添加，熔体的粘度将升高而表面张力则降低，阐明缘由。解:na2o-sio2体系中，si()2含量添加，n增大，。减小；因为si()2含量添加，聚合离子团标准增大，搬场阻力增大，n增大，e/r减小，彼此作用力减小，。减小；ro-sio2体系中，si02含量添加，n增大，。减小；因为无si()2时r0-02体系n很低，表面张力大；参加si02,体系中呈现聚合离子团，si02添加，聚合离子团标准增大，数目增大，n增大，。减小。0012.试述石英晶体、石英熔体、na20>2si()2熔体规划和性质上的差异。石英晶体石英熔体\a20?2sio2规划[si04]按共顶方法对称有规则有序摆放，远程有序根柢规划单元[si()4]呈架状规划，远程无序根柢规划单元[si6018]12-呈六节环或8节环，远程无序性质固体无活动性，熔点高，硬度大，导电性差，规划平稳,化学平稳性好有活动性，n大，电导率大，表面张力大有活动性，n较石英熔体小，电导率大，表面张力大0013.阐明在必定温度下同构成的玻璃比晶体具有较高的内能及晶体具有必定的熔点而玻璃体没有固定熔点的缘由。解:玻璃的介稳性:熔体改动为玻璃进程中，是快速冷却，使玻璃在低温下保存了高温时的规划状况，玻璃态是能量的介稳态，有自觉放热而改动为晶体的趋势；玻璃无固定熔点:熔体的结晶进程中，隙ж有多个相呈现，有固定熔点；熔体向玻璃体改动时，其进程是骤变的，无多个相呈现，无固定的熔点，只需一个转化温度规模。0014.简述影响熔体粘度的要素解:影响熔体粘度的首要要素:温度和熔体的构成。碱性氧化物含量添加，剧烈降低粘度。随温度降低，熔体粘度按指数联络递加。0015.试用实验办法辨别晶体si02、si02玻璃、硅胶和si02熔体。它们的规划有啥不一样解:使用x—射线检测。晶体si02一质点在三维空间做有规则的摆放，各向异性。si02熔体一内部规划为架状，近程有序，远程无序。si02玻璃一各向同性。硅胶一疏松多孔。0016.试比照硅酸盐玻璃与硼酸盐玻璃在规划与功能上的差异。解:规划差异:硅酸盐玻璃:石英玻璃是硅酸盐玻璃的基础。石英玻璃是硅氧四面体[sio4]以顶角相连而构成的三维架状规划。因为si—0—si键角改变规模大，使石英玻璃中[si04]四面体摆放成无规则网络规划。si02是硅酸盐玻璃中的首要氧化物。硼酸盐玻璃:b和0替换摆放的平面六角环的b—0集团是硼酸盐玻璃的重要基元，这些环经过b—0一b链连成三维网络。b203是网络构成剂。这种连环规划与石英玻璃硅氧四面体的不规则网络不一样，任何0—b三角体的周围空间并不完全被临接的三角体所填充，两个原子接近的可以性较小。功能差异:硅酸盐玻璃:试剂和气体介质化学平稳性好、硬度高、出产办法简略等利益o硼酸盐玻璃:硼酸盐玻璃有某些优良的特性。例如:硼肝是仅有能用以制造有吸收慢中子的氧化物玻璃；氧化硼玻璃的转化温度比硅酸盐玻璃低得多；硼对中子射线的活络度高，硼酸盐玻璃作为原子反应堆的窗口对材料起屏蔽中子射线的作用。0017.网络外体（如na20）加到si02熔体中,使氧硅比添加,当0/si机?3时，即抵达构成玻璃的极限，0/si>3时，则不能构成玻璃，为啥解:在熔体规划中，0/si比值对应着必定的集合负离子团规划，如当0/si比值为2时，熔体中富含巨细不等的歪扭的[si02]n集合团（即石英玻璃熔体）；跟着0/si比值的添加，硅氧负离子集团不断变小，当0/si比值添加4时，硅-氧负离子集团悉数离散变成分立状的[si04]4=这就很难构成玻璃。0014.说明硼酸盐玻璃的硼异常表象解:硼异常表象:跟着na20（r20）含量的添加，桥氧数增大，热胀大系数逐步降低。当na20含量抵达15%—16%时，桥氧又初步削减，热胀大系数从头上升，这种异常表象就是硼异常表象。硼异常表象缘由:当数量不多的碱金属氧化物同b203一同熔融时，碱金属所供给的氧不像熔融si02玻璃中作为非桥氧呈如今规划中，而是使硼改动为由桥氟构成的硼氧四面体。致使b203玻璃从正本二度空间层状规划有些改动为三度空间的架状规划,然后加强了网络规划，并使玻璃的各种物理功能变好。这与相同条件下的硅酸盐玻璃功能随碱金属或碱土金属参加量的改变规则相反。0018.试述微晶学说与无规则网络学说的首要观念，并比照两种学说在说明玻璃规划上的一起点和不合。解:微晶学说:玻璃规划是一种不接连的原子集结体，即许多“晶子”涣散在无定形介质中；“晶子”的化学性质和数量取决于玻璃的化学构成，可所以独立原子团或必定构成的化合物和固溶体等微晶多相体，与该玻璃物系的相平衡有关；“晶子”不一样于一般微晶，而是带有晶格极度变形的细小有序区域，在“晶子”中心质点摆放较有规则，愈远离中心则变形程度愈大；从“晶子”有些到无定形有些的过渡是逐步结束的，两者之间无显着鸿沟。无规则网络学说:玻璃的规划与相应的晶体规划类似，相同构成接连的三维空间网络规划。但玻璃的网络与晶体的网络不一样，玻璃的网络是不规则的、非周期性的，因而玻璃的内能比晶体的内能要大。因为玻璃的强度与晶体的强度归于同一个数量级，玻璃的内能与相应晶体的内能相差并不多，因而它们的规划单元（四面体或三角体）应是相同的，不一样之处在与摆放的周期性。微晶学说偏重了玻璃规划的不均匀性、不接连性及有序性等方面特征，成功地说明了玻璃折射率在加热进程中的骤变表象。网络学说偏重了玻璃中离子与多面体彼此间摆放的均匀性、接连性及无序性等方面规划特征。0019.在硅酸盐熔体析晶的成核速率、生长速率随t改变的联络图中，标出哪一条曲线代表成核速率，哪一条曲线代表生长速率为啥缘由:低温熔体粘度大，质点移动困难易聚结在一同而成核，即低温有利于成核；高温熔体粘度小，质点移动速率大，晶核易相遇构成大的晶核而长大，即高温有利于生长。0020.啥叫表面张力和表面能在固态下和液态下这两者有何不一样？解:表面张力:笔直作用在单位长度线段上的表面紧缩力或将物体表面增大一个单位所需作的功；。二力/总长度n/m表面能:恒温、恒压、恒构成情况下，可逆地添加物系表面积须对物质所做的非体积功称为表面能；j/m2=n/m液体:不能承受剪应力，外力所做的功体现为表面积的拓宽，因为表面张力与表面能数量是相同的；固体:能承受剪切应力，外力的作用体现为表面积的添加和有些的塑性形变，表面张力与表面能不等。0021.一般说来，同一种物质，其固体的表面能要比液体的表面能大，试阐明缘由。解:同一种物质，其液体固体的表面规划不一样，液体分子可安适移动，老是经过构成球形表面来降低其表面能；固体则不能，固体质点不能安适移动，只能经过表面质点的极化、变形、重排来降低体系的表面能，固体表面处于高能量状况（因为表面力的存在）。0022.影响湿润的要素有那些解:（d固体表面粗糙度的确实触摸角0小于90°时，粗糙度越大，表面触摸角越小，就越简略湿润；当。大于90°,则粗糙度越大，越晦气于湿润。（2）吸附膜吸附膜的存在使触摸角增大，起着阻止作用。0023.阐明吸附的本质解:吸附是固体表面力场与吸附分子宣告的力场彼此作用的成果，它是发生在固体上的。根据彼此作用力的性质不一样，可分为物理吸附和化学吸附两种。物理吸附:由分子间引力致使的，这时吸附物分子与吸附剂晶格可看作是两个分立的体系。化学吸附:伴随有电子转移的键合进程，这时应把吸附分子与吸附剂晶格作为一个共同的体系来处置。0024.试阐明晶粒之间的晶界应力的巨细对晶体功能的影响解:两种不一样热胀大系数的晶相，在高温燃烧时，两个相完全密合触摸，处于一种无应力状况，但当它们冷却时，因为热胀大系数不一样，缩短不一样，晶界中就会存在应力。晶界中的应力大则有可以在晶界上呈现裂纹，甚至使多晶体决裂，小则坚持在晶界内。0025.从si02的多晶改动表象阐明硅酸盐制品中为啥常常呈现介稳态晶相解:在5731以下的低温，si02的平稳晶型为b—石英，加热至5730c改动为高温型的a—石英，这种改动较快；冷却时在同一温度下以相同的速度发生逆改动。假定

加热速度过快，则a—石英过热而在16001时熔融。假定加热速度很慢，则在870c改动为a一鳞石英。a一鳞石英在加热较快时，过热到1670c时熔融。当缓慢冷却时，在870c仍可逆地改动为a—石英；当灵敏冷却时，沿虚线过冷，在163c改动为介稳态的b一鳞石英，在117（改动为介稳态的g一鳞石英。加热时g一鳞石英仍在原改动温度以相同的速度先后改动为b一鳞石英和a一鳞石英。a一鳞石英缓慢加热，在1470c时改动为a一方石英，持续加热到1713。（2熔融。当缓慢冷却时，在1470c时可逆地改动为a一鳞石英；当灵敏冷却时，沿虚线过冷，在180?270c改动为介稳状况的b一方石英；当加热b—方石英仍在180?270c灵敏改动为平稳状况的a一方石英。熔融状况的sio2因为粘度很大，冷却时一般变成过冷的液相逐个石英玻璃。尽管它是介稳态，因为粘度很大在常温下可以长时刻不变。假定在looo^c以上耐久加热，也会发生析晶。熔融状况的si02,只需极端缓慢的冷却，才会在1713c可逆地改动为a一方石英。对si02的相图进行分析发现，si（）2的一切处于介稳状况的熔体的饱满蒸汽压都比相同温度规模内处于热力学平稳态的熔体的饱满蒸汽压高。而理论和实习证明，在给定的温度规模，具有最小蒸汽压的相必定是最平稳的相。所以因为晶型改动速度不一样，在不一样的加热或冷却速率下，硅酸盐制品中常常呈现介稳态晶相。0026.今有配料（1）3kg,配料（2）2kg,配料（3）5kg,若将此三配料混合加热至完全熔融，试根据杠杆规则用作图法求熔体的构成。解:根据题中所给条件，在浓度三角形中找到三个配料构成点的方位。联接配料（1）与配料（2）的构成点，按杠杆规则求其混合后的构成点。再将此点与配料（3）的构成点联接，此连线的中点即为所求的熔体构成点。0027.阐明影响固相反应的要素解:反应物化学构成与规划的影响；颗粒度和分布影响；反应温度、压力、气氛影响;矿化剂的影响。0028.为啥在成核终身成机理相变中，要有一点过冷或过热才干发生相变啥情况下需过冷，啥情况下需过热，试证明之。解:由热力学可知，在等温、等压下有 ag=aw-ta5在平衡条件下，ag=0,则有ah-7；a=0 =式中:70是相变的平衡温度；凶为相变热。若在任意温度7的不平衡条件下，则有 ag=m-7as、。若坨与2不随温度而改变，将上式代入上式得:ag=-t&hrrag=-t&hrr=ahhzl=\hat可见，相变进程要自觉进行，有必要有ag＜0,则若相变进程放热（如凝集、结晶等）m＜。。要使ag＜。，有必要有仃＞0,at=7；-?r＞°,即丁。＞丁，这标明隙ж须“过冷”。若相变进程吸热（如蒸腾、熔融等）凶＞。，要满足这一条件则有必要atvo,即几＜丁，这标明体系要自觉相变则有必要“过热”。0029.叙说硅酸盐晶体规划分类原则及各品种型的特征，偏重一例阐明之。解:硅酸盐矿藏依照硅氧四面体的联接方法进行分类，具体类型见下表。规划类型共用氧数形状络阴离子氧硅比实例岛状0四面体[si04]4-4镁橄榄石mg2[sio4]组群状1-2六节环[si6018]12?3绿宝石be3a12[si6018]链状2?3单链[si206]4-3?透辉石camg[si206]层状3平面层[si4010]4-滑石mg3[si4010](oh)2架状4骨架[si02] 2石英si020030.（a）啥叫阳离子交流答:在粘土矿藏中，假定[a106]层中有些a13+被\馆2+、fe2+替代时，一些水化阳离子（如na+、ca2+等）进入层间，来平衡剩下的负电荷，在必定条件下这些阳离子可以被其它阳离子交流，这种表象称为阳离子交流。0031.从规划上阐明高岭石、蒙脱石阳离子交流容量差异的缘由。答:高岭石的阳离子交流容量较小，而蒙脱石的阳离子交流容量较大。因为高岭石是1:1型规划，单网层与单网层之间以氢键相连，氢键强于范氏键，水化阳离子不易进入层间，因而阳离子交流容量较小。而蒙脱石是为2:1型规划，复网层间以范氏键相连，层间联络较弱，水化阳离子简略进入复网层间以平衡剩下的负电荷，因而蒙脱石的阳离子交流容量较大。0032.比照蒙脱石、伊利石同晶替代的不一样，阐明在平衡负电荷时为啥前者以水化阳离子方法进入规划单元层，然后者以配位阳离子方法进入规划单元层。答:蒙脱石和伊利石均为2:1型规划。可是，蒙脱石的铝氧8面体层中大约有1/3的a13+被mg2+所替代，平衡电荷的水化阳离子半径大，而且水化阳离子与负电荷之间隔离远，覆网层之间的联系力弱，所以进入层间方位。伊利石的硅氟四面体层中约1/6的si4+被a13+所替代，k+进入复网层间以平衡剩下的负电荷，k+位于上下二层硅氧层的六边形网络的中心，构成[k012],k+与硅氧层中的负电荷间隔近，联系力较强，因而以配位离子方法进入规划单元。0033.同为碱土金属阳离子be2+、mg2+、ca2+,其卤化物bef2和si02规划同，mgf2与ti02（金红石型）规划同，caf2则有萤石型规划，分析其缘由。答:碱土金属离子be2+、mg2+、ca2+,跟着原子序数的增大，离子半径逐步增大，极化功能改变不大。当阴离子同为f-时，使得其r+/r-增大，配位数增大，由bef2的4配位到mgf2的6配位，再到caf2的8配位。0034.金刚石规划中c原子按面心立方摆放，为啥其堆积系数仅为34%0答:为了分析晶体规划便利起见，金刚石规划中c原子可以当作按面心立方摆放。但实践上因为c原子之间是共价键，具有方向性和饱满性，每个c原子只与4个c原子构成价键（紧密相邻），所以并没有抵达紧密堆积（紧密堆积时每个原子一起与12个原子紧密相邻），其晶体规划内部存在许多空位。所以其堆积系数仅为34%,远远小于紧密堆积的％。和cao同属nacl型规划，而它们与水作用时则cao要比mgo生动，试说明之。解:rmg2+与rca2+不一样,rca2+>rmg2+,使cao规划较mgo疏松,h20易于进入，所以生动。0036.下列硅酸盐矿藏各属何种规划类型:mg2[sio4],k[aisi308],camg[si206],mg3[si4010]（oh）2,ca2al[alsio7]（>解:岛状；架状；单链；层状（复网）；组群（双四面体）。0037.石棉矿如透闪石ca2mg5[si4011]（0h）2具有纤维状结晶习性,而滑石mg2[si4010]（0h）2却具有片状结晶习性,试说明之。解:透闪石双链规划，链内的si-0键要比链间的ca-o、mg-0键强许多，所以很简略沿链间联系力较弱处劈裂变成纤维状；滑石复网层规划，复网层由两个[si04]层和中心的水镁石层规划构成，复网层与复网层之间靠教弱的分之间作用力联络，因分子间力弱，所以易沿分子间力联络处解理成片状。0038.石墨、滑石和高岭石具有层状规划，阐明它们规划的差异及由此致使的性质上的差异。解:石墨中同层c原子进行sp2杂化，构成大n键，每一层都是六边形网状规划。因为空位较大，电子可在同层中运动，可以导电，层间分子间力作用，所以石墨比照软。0039.在硅酸盐晶体中，a13+为啥能有些置换硅氧骨架中的si4+；（2）a13+置换si4+后，对硅酸盐构成有何影响 （3）用电价规则阐明a13+置换骨架中的si4+时，一般不跨越一半，否则将使规划不平稳。解:（1）a13+可与02-构成[a104]5-；a13+与si4+处于第二周期，性质类似，易于进入硅酸盐晶体规划中与si4+发生同晶替代，因为鲍林规则，只能有些替代；（2）a13十置换si4+是有些替代，a13+替代si4+时，规划单元[alsio4][asio5],失掉了电中性，有过剩的负电荷，为了坚持电中性，将有一些半径较大而电荷较低的阳离子如k+、ca2+、ba2+进入规划中；（3）设a13+置换了一半的si4+,则02-与一个si4+一个a13+相连，阳离子静电键强度=3/4xl+4/4×1=7/4,02-电荷数为-2,二者相差为1/4,若替代跨越一半，二者相差必定》1/4,构成规划不平稳。0040.举例阐明粗糙度对湿润与粘附强度的影响，并阐明缘由。答:如水泥与混凝土集料之间，表面愈粗糙，湿润性愈好；陶瓷元件表面被银，有必要先将瓷件表面磨平并抛光，才干前进瓷件与银层之间湿润性。缘由:的确实触摸角小于90&时，粗糙度愈大，就简略湿润；的确实触摸角大于90。时，则粗糙度愈大，愈晦气于湿润。0041.试从规划和能量的观念说明为啥d晶界》d晶内答:晶界墒导抒摆放规划不一样于内部，较晶体内疏松，原子摆放紊乱，存在着许多空位、位错、键变形等缺陷，使之处于应力畸变状况，具有较高能量，质点在晶界搬场所需活化能较晶内为小，涣散系数为大。0042.玻璃构成的热力学观念（内部条件）答:熔体在冷却进程中，会呈现三种相变进程:结晶化、玻璃化和分相。熔体在冷却进程中发生何种相变取决于熔体构成和冷却速率。（d结晶化:有序度不断添加，直到开释悉数剩下能量而使整个熔体晶化中止。（2）玻璃化:过冷熔体在改动温度tg硬化为固态玻璃的进程。（3）分相:质点搬场进程使熔体内某些构成偏聚，然后构成互不混溶的构成不一样的两个玻璃相。（4）比照:玻璃化和分相均没有开释出悉数剩下的能量，因而与结晶化比照，玻璃化和分相都处于比照能量高的亚稳态。可是因为玻璃与晶体的内能差值不大，故析晶才能比照小，因而这种亚稳态在实践上可以长时刻平稳存在。0043.杨德尔方程与金斯特林格方程首要差异在于:答:⑴杨氏模型中假定球形颗粒反应截面积一向不变，而金氏模型中假定反应产品层厚度x随时刻而向球中心推进。⑵杨氏方程仅适用转化率。而金氏方程能习气更大的反应程度，合适转化率(3)金氏方程有较好的广泛性，可从其方程本身得到进一步的阐明。0045.晶粒生长与二次再结晶的差异答:①前者胚体内晶粒标准均匀生长，遵守公式dlocd/f,然后者是单个晶粒异常生长，不遵守该公式。②前者是均匀标准增加，不存在晶核，界面处于平衡状况，界面无应力，然后者的大晶粒界面上有应力存在。③前者气孔都坚持在晶界上或晶界交汇处，然后者气孔被包裹到晶核内部。0046.写出下列缺陷反应式1、nacl构成肖特基缺陷；2、agl构成弗仑克尔缺陷(ag+进入空位)；3、ti02掺入到nb203中，请写出二个合理的方程，并判别可以树立的方程是哪一种再写出每个方程的固溶体的化学式。4、nacl溶入cac12中构成空位型固溶体。5、cac12溶解到kc1中构成空位固溶体解:1、0-vna’+vc1?2、agag-agi?+vagz3、3ti02>3ti、b?+vnb”’+600nb2-4xti3x03可以树立2ti02 >2tinb?+0i”+300nb2-2xti2x03+x07c72.4、nacl >naca/+c1c1+vc1?cac12-(2kcl)-*cai。0+2clcl+2vk,0047.分析阐明:为啥非均相成核比均相成核更易进行解:因为4g#c=△(0)而且:f(。)=(2+coso)(l-cos0)2/4,当:。=90度时，f(6)=(2+c0se)(1-cos0)2/4=(2+0)(1-0)2/4=2/4=l/2,所以:z\g#c=△(0)=1/2。agc,即:非均相成核所需能量是均相成核的一半，杂质存在有利成核。0048.相变进程的推进力:相变推进力为过冷度(过热度)的函数，相平衡理论温度与体系实践温度之差即为相变进程的推进力。△g=△h-tah/t0=△ht0-t/t0=△h.at/to式中:to一相变平衡温度，ah一相变热,t–任意温度。自觉反应时:ag<0,即ah.at/t0<0相变放热(凝集，结晶):ah<0则须:at〉。，to>t,过冷，即实践温度比理论温度要低，相变才干自觉进行。相变吸热(蒸腾，熔融):ah>0,at<0,to<t,过热。即实践温度比理论温度要高，相变才干自觉进行。0049.阐明斯宾那多分化相变和成核-生长相变的首要差异解:构成变-不变；相分布和标准有规则-无规则；相颗粒高度接连性非球型-接连性差的球型0050.啥是马氏体相变阐明其相变的特征钢淬火时得到的一种高硬度规划的改变进程。特征:具有剪切均匀规整性、不发生原子涣散、相变速度快可达声速、相变有必定规模。0051.阐明影响烧结的要素解:1、粉末的粒度。细颗粒添加了烧结推进力，缩短原子涣散间隔，前进颗粒在液相中的溶解度，然后致使烧结进程的加速。2、外加剂的作用。在固相烧结中，有少量外加剂可与主晶相构成固溶体，推进缺陷添加，在液相烧结中，外加剂改动液相的性质（如粘度，构成等），推进烧结。3、烧结温度:晶体中晶格能越大，离子联系也越健壮，离子涣散也越困难，烧结温度越高。保温时刻:高温段以体积涣散为主，以短时刻为好，低温段为表面涣散为主，低温时刻越长，不只不致使细密化，反而会因表面涣散，改动了气孔的形状而给制性格能带来损害，要尽可以快地从低温升到高温，以创造体积涣散条件。4、气氛的影响:氧化，复原，中性。5、成形压力影响:一般说成型压力越大颗粒间触摸越紧密，对烧结越有利。0052.在三元体系中，分界曲线有几种，各有啥特征答:分界曲线有2种:共同分界曲线，特征是两个固相共同熔融或两个固相共同分出。纷歧致分界曲线，两个固相共同分出后有一个固相被回析。0053.菲克第一规则j=-ddc/dx,菲克第二规则dc/dt=ddc/dx,使用条件答:菲克第一规则使用于平稳涣散，菲克第二规则使用于非平稳涣散。0054.相变进程的推进力答:过冷度；过饱满浓度；过饱满蒸汽压。0055,在三元体系中，无变量点有三种，别离是啥答:最低共熔点；双升点；双降点。0056.简述烧结进程的推进力是啥答:能量差，压力差，空位差。0057.简述固体内粒子的搬场方法有几种答:易位，环转位，空位涣散，空位涣散，推填式。0058.阐明外加剂对烧结的影响答:1）外加剂与烧结主体构成固溶体使主晶格畸变，缺陷添加，有利规划基元移动而推进烧结。2）外加剂与烧结主体构成液相，推进烧结。3）外加剂与烧结主体构成化合物，推进烧结。4）外加剂阻挡多晶改动，推进烧结。5）外加剂起扩展烧结规模的作用。0059.影响固相反应要素有哪些答:1）反应物化学构成与规划的影响；2）反应物颗粒度及分布的影响；3）反应温度、压力、气氛的影响；4）矿化剂及其它的影响。0060.分析反应颗粒标准对加速固相反应的影响。答:杨德尔方程:kt=r02[l-（l-g）1/3]2；金斯特林格动力学方程积分式:=（2duc0/r02pn.）t=l-2/3g-（1-02/3公式中:r0—-反应物等径球颗粒半径；g-一转化率；kk-一速度常数；t-一时刻；d涣散系数；n分子数；c0初始气体浓度；u分子量；p产品密度。由公式可见:速度常数k与r0颗粒半径平方成反比，颗粒越小，反应体系比表面积越大，反应界面和涣散截面也相应添加，因而反应速率增大。威尔表面学说:颗粒标准减小，键强分布曲线变平，弱键比例添加，故而使反应和涣散才能增强。熔体中跟着na20参加量的不一样，粘度如何改变，为啥答:sio2熔体中参加na20,粘度跟着na20增多，使o/si值上升，m降低，［sio4］从网络变成孤岛状，粘度灵敏降低。0062.阐明最紧密堆积原理，并阐明晶胞中球个数与空位个数的联络。答:原理:晶体内质点彼此联系是以内能最小为原则，即球体堆积密度越大，体系内能越小。联络:晶胞内球体个数n,四面体个数有2rl个，8面体有n个。0063.请阐明玻璃构成的热力学和动力学条件。答:热力学条件:同种物质，玻璃态内能与晶态内能差越小，越易构成玻璃。动力学条件:构成玻璃要避免析晶，过冷度大，冷却速度快，避免成核并变大。0064.为啥气孔曲折表面会呈现过剩空位浓度。答:与平表面比照，曲折表面有附加压力。在附加压力作用下，质点易于移出，而呈现空位。0065.叙说鲍林二规则内容，偏重例阐明使用。答:鲍林二规则:在一个平稳的离子化合物规划中，每一个负离子的电价等于或近似等于相邻正离子分配给这个离子的静电键强度总和。比方:［mg06］8面体中，\恒离子分给每一个。离子静电键强度为s=2/6=1/3o0066.曲折表面的附加压力是如何发生的数学表达式答:发生:曲折表面上表面张力分力发生附加压力。表达式:△p=2y/r（球形），△p=y（l/rl+l/r2）（非球形）。0067.阐明影响置换型固溶体构成的要素有哪些答:影响要素:（1）离子标准:15%规则:l（r1-r2）/r1>15%不接连。2.<15%接连。3.>40%不能构成固熔体。（2）离子价:电价相同，构成接连固熔体。（3）晶体规划要素:基质，杂质规划相同，构成接连固熔体。（4）场强要素。（5）电负性:差值小，构成固熔体。差值大构成化合物。0068.金属合金是不是金属晶体答:一般的金属及合金（除非晶态合金以外）都归于晶体。合金是由不一样的合金相构成的，这些合金相具有比纯金属更凌乱的规划，而且一般不是无缺的晶体，而是存在各种缺陷的晶体。0069.在三元相图中讲到的重心规则中的“重心”是不是几许学中三角形的重心答:重心规则中的“重心”与几许学中的重心是有差异的。在几许学中，重心位于三条中线的交点，这儿的三角形实践上是一个厚度均匀、密度均匀的三角形的板状物。而三元相图水平截面中代表三相平衡区的共痈三角形，在用重心规则核算三个平衡相相对量时被看作是一个无质量的三角形规划，三个相的质量被别离“挂在”三个极点上，其“重心”就是合金的成分点。0070.高分子合金与一般合金（金属）有何差异又有何特有的用处答:从传统上说，合金是指金属合金，即在一种金属元素基础上，参加其他元素，构成具有金属特性的新材料；是由两种或两种以上金属元素，或金属元素与非金属元素,一般经过熔炼而联系在一同并构成具有金属特性的物质。例如黄铜是以铜为基础的铜锌合金，钢铁是以铁为基础的铁碳合金。高分子合金是由两种或两种以上高分子材料构成的复合体系，是由两种或两种以上不一样品种的树脂，或许树脂与少量橡胶，或许树脂与少量热塑性弹性体，在熔融状况下，经过共混，因为机械剪切力作用，使有些高聚物断链，再接枝或嵌段，亦或基团与链段交流，然后构成聚合物-聚合物之间的复合新材料，称之为高分子合金。0071.点群和空间群有何差异答:点群是晶体微观对称要素组合的一切方法，可将天然界的一切晶体按晶体外形对称不一样分为32种。空间群是晶体一切对称要素组合的悉数方法，可将天然界的一切晶体按晶体魄子规划对称不一样分为230种，这两种都是对晶体进行对称性不一样的理论分类体系。0072.钛酸钢晶体空间点阵中有几套平等点别离是哪几套答:有5套，处于晶胞8个极点的ba是一套，体心ti是一套，处于6个面心的（）别离归于3套，一组对面的2个（）是一套，有3组对面所以共3套。0073.有些微晶玻璃也富含金属元素，它与金属玻璃有何差异，和一般玻璃又有何差异阿如何来制备答:微晶玻璃是指将玻璃在必定条件下进行微晶化处置，即先在成核速率最高的条件下生成许多晶核，然后再让晶核适度长大，然后在玻璃中发生数量许多、非常细微、呈弥散分布的微晶。都是以氧化物方法存在，不可以能存在金属。假定这种玻璃在复原性气氛中处置，或许会有少量氧化物被复原分出金属。它与金属玻璃（悉数是金属原子作无序摆放）有着根柢差异。一般玻璃一般不存在析晶。0074.用氧化钮或氧化锌平稳的氧化错有何差异那种体系在常温下能构成平稳立方氧化错答:氧化钮和氧化钝都能固溶到氧化错中，只需固溶量抵达必定数量后都能构成平稳的立方氧化错。可是前者归于不等价替代，然后者归于等价替代，在固溶体中生成的缺陷纷歧样，然后构成一系列物理功能也纷歧样。0075,螺位错差异于刃位错的特征是是啥答:螺型位错具有以下特征:（1）螺型位错无额定半原子面，原子错排是呈轴对称的。（2）根据位错线邻近呈螺旋形摆放的原子的旋转方向不一样，螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。（3）螺型位错线与滑移矢量平行，因而必定是直线，而且位错线的移动方向与晶体滑移方向